Физические основы полупроводниковой электроники — В книге подытожены результаты фундаментальных и прикладных исследований, выполненных за последние 10—15 лет в Институте полупроводников АН УССР. Все обзоры книги объединены вокруг одной из важнейших проблем современной физики твердого тела — взаимодействия электромагнитного излучения с полупроводниками в диапазоне частот от сантиметрового до рентгеновского излучения. Фундаментальные теоретические и экспериментальные исследования, многие из которых положили начало новым направлениям в оптике, фотоэлектронике, физике поверхности, радиоспектроскопии полупроводников и др., находят естественное продолжение в материаловедении, оптоэлектронике, метрологии и в других прикладных областях. Для специалистов-физиков, инженерно-технических работников, а также преподавателей и студентов вузов физических специальностей.
Название: Физические основы полупроводниковой электроники Редактор: Снитко О. В. Издательство: Наукова думка Год: 1985 Страниц: 302 Формат: DJVU Размер: 11,9 МБ Качество: Отличное Язык: Русский
Содержание:
Глава 1. Теоретическое предсказание и экспериментальное обнаружение добавочных световых волн в кристаллах (С. И. Пекар) Глава 2. Некоторые современные аспекты теории горячих электронов (Ф. Т. Васько, 3. С. Грибников, И. М. Дыкман) Глава 3. Явления, связанные с биполярным дрейфом носителей в полупроводниках (И. И. Бойко, 3. С. Грибников) Глава 4. Колебательные резонансы и нелинейная оптическая активность кристаллов (М. П. Лисица) Глава 5. Эффект неравновесного обеднения и его релаксация при сильных электрических полях (О. В. Снитко, В. Е. Примаченко, С. И. Кириллова, В. В. Миленин) Глава 6. Структура и динамика атомарно-чистой поверхности (Б. А. Нестеренко) Глава 7. Релаксация внутренних напряжений в гетероэпитаксиальных системах (Ю. А. Тхорик, Л. С. Хазан) Глава 8. Исследования кремния методом электронного парамагнитного резонанса (А. А. Бугай) Глава 9. Неравновесные процессы в широкозонных полупроводниках (М. К. Шейнкман) Глава 10. Физические свойства соединений A2B6 в экстремальных условиях (Е. А. Сальков) Глава 11. Разработка и исследование фотоэлектрических полупроводниковых приборов на основе соединений A2B6 (В. Н. Комащенко, Г. А. Федорус, В. Д. Фурсенко, М. К. Шейнкман) Глава 12. Поперечные фотовольтаические эффекты в полупроводниках с анизотропной электропроводностью (И. П. Жадько, В. А. Романов) Глава 13. Теоретические и экспериментальные исследования явлений переноса в многодолинных полупроводниках в экстремальных условиях (П. И. Баранский) Глава 14. Рентгенодифракционные исследования структурного совершенства полупроводниковых материалов (Л. И. Даценко) Глава 15. Исследования в области химии полупроводников (И. Б. Мизецкая) Глава 16. Эффект фотографической чувствительности системы тонких слоев полупроводника и металла, или стимулированная излучением диффузия (М. Т. Костышин) Глава 17. Полупроводники в криогенной термометрии (Л. И. Зарубин) Глава 18. Физико-технологические аспекты устройств для записи оптической информации на основе структур фотопроводник A2B6 - регистрирующая среда (С. В. Свечников, Э. Б. Каганович, Ю. Н. Максименко) Глава 19. Поляритонные и коллективные явления на границах раздела полярных полупроводников (В. Г. Литовченко, Н. Л. Дмитрук, Д. В. Корбутяк) Глава 20. Магнитоконцентрационные явления в плазме полупроводников (В. К. Малютенко) Глава 21. Функции оптоэлектронных многополюсников в электронных цепях (П. Ф. Олексенко) Глава 22. Состояние разработок и перспективы развития оптоэлектронных функциональных преобразователей (А. К. Смовж) Глава 23. Тонкопленочные электролюминесцентные излучатели (Н. А. Власенко)
Все материалы размещенные на сайте //gigabyt.at.ua/ пренадлежат их владельцам и предоставляются исключительно в ознакомительных целях. Администрация ответственности за содержание материала не несет и убытки не возмещает. По истечении 24 часов материал должен быть удален с вашего компьютера. Незаконная реализация карается законами РФ и Украины: "Об авторском и смежном праве". При копировании материала, ссылка на сайт обязательна!
