Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов — В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам. Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами.
Название: Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов Автор: Данилов В. С., Раков Ю. Н. Издательство: Новосибирск: НГТУ Год: 2014 Страниц: 418 Формат: PDF Размер: 43,74 Мб ISBN: 979-5-7782-2406-3 Качество: Отличное
Содержание:
Глава 1. Начальныe сведення Глава 2. Биполярный транзистор Глава 3. МОП-транзитор Глава 4. Полевой СВЧ-транзистор с барьером Шотки на основе арсенида галлия. Аналитическая модель Глава 5. Гетероструктурные полевые транзисторы Глава 6. Применение транзисторов в монолитных схемах СВЧ
Все материалы размещенные на сайте //gigabyt.at.ua/ пренадлежат их владельцам и предоставляются исключительно в ознакомительных целях. Администрация ответственности за содержание материала не несет и убытки не возмещает. По истечении 24 часов материал должен быть удален с вашего компьютера. Незаконная реализация карается законами РФ и Украины: "Об авторском и смежном праве". При копировании материала, ссылка на сайт обязательна!
